(9/3, 2025) SK하이닉스, 국내 최초 High-NA EUV 장비 도입…M16 공장에 EXE:5200B 조립 완료

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SK하이닉스가 경기도 이천 M16 공장에 ASML의 차세대 노광장비 **TWINSCAN EXE:5200B(High-NA EUV)**를 조립 완료했습니다. 메모리 업계에서 양산형 High-NA EUV를 처음 들여온 사례로, 차세대 DRAM 개발 및 양산 체계 고도화의 분수령으로 평가됩니다.

High-NA EUV는 무엇이며, 왜 중요한가요?

• NA(개구수) 0.55로 기존 EUV(0.33) 대비 광학 해상도를 크게 높여, 선폭은 1.7배 더 미세하게, 단일 노광 밀도는 2.9배까지 끌어올릴 수 있습니다. 복잡한 멀티 패터닝 공정을 줄여 공정 단순화·수율 안정화에 유리합니다. 
• 업계 분석에 따르면, High-NA는 초기에는 차세대 DRAM 구조(비트라인·워드라인·캐패시터 등)의 상세 패터닝/시제품화(R&D) 가속에 활용되고, 이후 본격 양산 공정으로 전환될 전망입니다

이번 도입의 핵심 포인트

1. 장비 스펙과 목적
   • 모델: ASML TWINSCAN EXE:5200B(High-NA EUV 제품군의 첫 양산 모델)
   • 특징: 기존 EUV 대비 NA 40%↑(0.33→0.55), 단일 노광 해상·밀도 대폭 향상
   • 기대효과: EUV 공정 단순화, 차세대 메모리 개발 및 성능·원가 경쟁력 제고 
2. 도입 시기 및 일정 변화
   • 애초 2026년 공급 예정이던 일정을 약 6개월 앞당겨 2025년 9월 설치를 마친 것으로 전해졌습니다. 이는 차세대 메모리 로드맵을 앞당기기 위한 선제적 행보로 해석됩니다. 
3. 산업적 의미
   • 메모리 제조사 중 최초로 양산형 High-NA EUV를 현장에 조립함으로써, 차세대 공정 주도권 경쟁에서 한 발 앞선 위치를 선점했습니다. 업계 보도는 “초기엔 R&D 차량으로 활용 후, 수년 내 양산 전환” 가능성을 전망합니다.

기대 효과(블로그용 요약)

• 개발 속도 가속: 고해상도 단일 노광으로 미세 패턴 검증이 빨라져 차세대 DRAM 설계/공정의 시행착오를 줄일 수 있습니다. 
• 공정 단순화·원가 효율: 멀티 패터닝 의존도를 낮춰 장비 턴어라운드 및 공정 복잡도를 줄이는 데 도움이 됩니다.
• AI 메모리 리더십 강화: HBM 등 고부가 메모리 개발·공급 신뢰성 제고로 AI 시장 대응력을 높일 수 있습니다.

숫자로 보는 한 컷

• 장비 단가(업계 추정): 약 6,000억 원 수준으로 거론됩니다(대당). 초거대 장비로 2층 버스 높이, 약 150톤급으로 알려져 있습니다. (기업 공식 수치가 아니라 업계 추정치입니다.) 

관전 포인트 4가지

1. 양산 전환 타이밍: R&D→HVM(대량 양산) 단계 전환 시점과 대상 제품군(HBM·차세대 DRAM 노드). 
2. 공정·소재 생태계 정렬: High-NA용 레지스트, 펠리클, 마스크(레티클) 등 주변 기술의 성숙도. (기업 발표·업계 동향 종합)
3. 원가·수율 곡선: 공정 단순화 이점과 장비 투자비 상쇄의 균형점 형성 속도.
4. 경쟁사 대응: 삼성전자·TSMC 등 경쟁사의 도입 속도와 적용 범위, 로드맵 변화. 

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마무리 코멘트(블로그용)

이번 High-NA EUV(EXE:5200B) 도입은 ‘미세화의 다음 장’을 여는 신호탄입니다. 공정 단순화와 개발 속도 가속이라는 두 마리 토끼를 노리며, AI 메모리 수요 확대 국면에서 기술 리더십을 공고히 하려는 전략으로 보입니다. 향후 R&D 활용 → 양산 투입의 전환 시기와 대상 제품이 공개되면, 글로벌 메모리 지형에도 의미 있는 변화가 나타날 것으로 예상됩니다.